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HIPD068P03L3GATMA1
耐压:30V 电流:70A
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- 描述
- 这款P沟道场效应管（MOSFET）具有80A的最大连续漏极电流（ID），能够在高达30V的漏源电压（VDSS）下工作。其导通电阻（RDSON）仅为5.5毫欧，在25V的栅源电压（VGS）驱动下能确保低功耗和高效率。这类器件适用于需要高效能电源管理的应用中，如消费电子产品中的开关电源转换器及电池供电设备中的负载开关等。其紧凑的设计与优异的热性能使其成为便携式与空间受限应用的理想选择。
- 商品型号
- HIPD068P03L3GATMA1
- 商品编号
- C42401094
- 商品封装
- TO-252-2L(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.387879克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 90W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 3.45nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 140pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 255pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |