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HFQD19N10LTM
1个N沟道 耐压:100V 电流:15A
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- 描述
- 这款N沟道场效应管（MOSFET）设计有15A的连续排水电流（ID），适用于需要大电流处理能力的应用。其额定漏源电压（VDSS）为100V，确保了在高压环境下的可靠性能。导通电阻（RDSON）仅为100毫欧，有助于在负载条件下保持低发热和高效率。该MOSFET的最大栅源电压（VGS）为±20V，增强了驱动兼容性和灵活性。适用于各种需要高性能电力转换与控制的场合，如高性能计算硬件的电源管理单元或日常家用电器的电机驱动部分。
- 商品型号
- HFQD19N10LTM
- 商品编号
- C42401093
- 商品封装
- TO-252-2L(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.414141克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 95mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 17W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 196pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 21.4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 25.9pF |