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HSI1553CDLT1GE3
1个N沟道+1个P沟道 耐压:20V 电流:0.75A
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- 描述
- 这款场效应管（MOSFET）涵盖N沟道与P沟道类型，能够提供高达0.8A的连续排水电流（ID），并在最大20V的漏源电压（VDSS）下稳定运行。其导通电阻（RDSON）仅为320毫欧，在导通状态下能有效降低功耗。该MOSFET支持±12V的最大栅源电压（VGS），适合用于设计要求紧凑高效的应用场景，例如小型电子设备中的开关电源或电池保护电路等。
- 商品型号
- HSI1553CDLT1GE3
- 商品编号
- C42401092
- 商品封装
- SOT-363(SC-70-6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.025253克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 750mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 380mΩ@4.5V,0.65A | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 120pF@16V | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF@16V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道+P沟道 |
商品概述
HNTJD5121NT1G采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = 60V，漏极电流ID = 0.115A
- 当栅源电压VGS = 10V时，导通电阻RDS(ON) < 3Ω
应用领域
- 无线充电
- 升压驱动器
- 无刷电机