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HAO3406
耐压:30V 电流:5.8A
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- 描述
- 这款N沟道场效应管（MOSFET）具有5.8A的连续漏极电流（ID），可在高达30V的最大漏源电压（VDSS）下工作。导通电阻（RDSON）仅为28毫欧，在12V的栅源电压（VGS）下能够有效降低功耗。此MOSFET适用于设计要求高效能与低能耗的应用，如便携式设备电源管理、消费电子产品中的开关电路及电池供电设备等。其特性使得它能够在高频率操作中保持稳定性能，是设计紧凑型电子产品的理想选择。
- 商品型号
- HAO3406
- 商品编号
- C42401089
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.027273克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 825pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 78pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | 100pF |
商品概述
HAO3406采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30V,ID = 5.8A
- 当VGS = 10V时,RDS(ON) < 30 mΩ
应用领域
-电池保护-负载开关-不间断电源