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HSCB0012
N沟道100V快速开关MOSFET
- 描述
- 特性：先进的沟槽MOS技术。 100%保证EAS。 提供绿色环保器件。 低导通电阻Rds(on)。 超低栅极电荷。应用：便携式设备。 电池供电系统
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSCB0012
- 商品编号
- C42376790
- 商品封装
- DFN-6L(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.042409克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 130mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 3.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 31pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 180pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷条件下实现出色的导通电阻（RDS(on)）。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 先进沟槽 MOS 技术
- 100% 保证 EAS
- 提供绿色环保器件
- 低导通电阻 Rds(on)
- 超低栅极电荷
应用领域
-便携式设备-电池供电系统-硬开关和高速电路