RT8207GQW

RT8207为DDRII/DDRIII内存系统提供完整的电源。它集成了一个同步PWM降压控制器、一个3A灌/拉电流跟踪线性稳压器和一个缓冲低噪声基准源。 PWM控制器具备高效率、出色的瞬态响应和高直流输出精度，可将高压电池降压，为笔记本电脑中的芯片组RAM提供低压电源。恒定导通时间PWM控制方案能轻松应对宽输入/输出电压比，在保持相对恒定开关频率的同时，对负载瞬变提供100ns的“即时响应”。 RT8207通过省去传统电流模式PWM中的电流检测电阻，以较低成本实现了高效率。其驱动大型同步整流MOSFET的能力进一步提高了效率。降压转换使该器件能够直接对高压电池进行降压，以实现尽可能高的效率。 3A灌/拉电流LDO仅需20μF陶瓷输出电容即可保持快速瞬态响应。此外，LDO电源输入可从外部获取，以显著降低总功率损耗。RT8207支持所有睡眠状态控制，在S3模式下将VTT置于高阻态，在S4/S5模式下对VDDQ、VTT和VTTREF进行放电（软关断）。 RT8207具备包括热关断在内的所有保护功能，采用WQFN - 24L 4x4封装。

• PWM控制器通过低端RDS(ON)检测实现电阻可编程电流限制
• 100ns内实现快速负载阶跃响应
• 跨线路和负载的输出电压精度为±1%
• 固定1.8V（DDRII）、1.5V（DDRIII）或可调0.75V至3.3V输出范围
• 电池输入范围4.5V至26V
• 电阻可编程频率
• 过/欠压保护
• 软启动期间4级电流限制
• 驱动大型同步整流FET
• 电源良好指示
• 3A LDO（VTT）、缓冲基准源（VTTREF）
• 能够灌/拉高达3A电流
• LDO输入可优化功率损耗
• 仅需20μF陶瓷输出电容
• 缓冲低噪声10mA VTTREF输出
• VTTREF和VTT精度均为±20mV
• 支持S3模式下高阻态和S4/S5模式下软关断
• 符合RoHS标准且无卤

• DDRII/DDRIII内存电源
• 笔记本电脑
• SSTL18、SSTL15和HSTL总线终端