RT8207MZQW

RT8207L/M 为 DDRII/DDRIII/低功耗 DDRIII/DDRIV 内存系统提供完整的电源。它集成了一个同步 PWM 降压控制器、一个 1.5A 灌/拉电流跟踪线性稳压器和一个缓冲低噪声基准源。 PWM 控制器具备高效率、出色的瞬态响应和高直流输出精度，可将笔记本电脑中的高电压电池降压，为芯片组 RAM 提供低电压电源。恒定导通时间 PWM 控制方案能轻松应对宽输入/输出电压比，在保持相对恒定开关频率的同时，对负载瞬变提供 100ns 的“即时导通”响应。 RT8207L/M 通过省去传统电流模式 PWM 中的电流检测电阻，以较低成本实现了高效率。其驱动大型同步整流 MOSFET 的能力进一步提高了效率。降压转换使该器件能够直接对高电压电池进行降压，以实现尽可能高的效率。 1.5A 灌/拉电流 LDO 保持快速瞬态响应，仅需 20μF 的陶瓷输出电容。此外，LDO 电源输入可从外部获取，以显著降低总功率损耗。RT8207L/M 支持所有睡眠状态控制，在 S3 模式下将 VTT 置于高阻态，在 S4/S5 模式下对 VDDQ、VTT 和 VTTREF 进行放电（软关断）。 RT8207L/M 具备包括热关断在内的所有保护功能，提供 WQFN - 24L 4x4 和 WQFN - 20L 3x3 封装。

• PWM 控制器通过低端 RDS(ON) 检测实现电阻可编程电流限制
• 100ns 内实现快速负载阶跃响应
• 全电压和负载范围内 VVDDQ 精度为 ±1%
• 固定 1.8V（DDRII）、1.5V（DDRIII）或可调 0.75V 至 3.3V 输出范围，适用于 1.35V（低功耗 DDRIII）和 1.2V（DDRIV）
• 4.5V 至 26V 电池输入范围
• 电阻可编程频率
• 过/欠压保护
• 内部电流限制斜坡
• 软启动
• 驱动大型同步整流 FET
• 电源正常指示
• 1.5A LDO（VTT）、缓冲基准源（VTTREF），能够灌/拉 1.5A 电流
• 可使用外部输入以最小化功率损耗
• 集成分压器使 VTT 和 VTTREF 跟踪 1/2 VDDQ
• 缓冲低噪声 10mA VTTREF 输出
• 远程检测（VTTSNS）
• VTTREF 和 VTT 精度为 ±20mV
• 支持 S3 模式下高阻态和 S4/S5 模式下软关断
• 符合 RoHS 标准且无卤

• DDRI/II/III/低功耗 DDRIII/DDRIV 内存电源
• 笔记本电脑
• SSTL18、SSTL15 和 HSTL 总线端接