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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

FDW262P

1个P沟道 耐压:20V 电流:4.5A

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品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
FDW262P
商品编号
C3291386
商品封装
TSSOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.135克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)4.5A
导通电阻(RDS(on))100mΩ@1.8V
耗散功率(Pd)1.3W
阈值电压(Vgs(th))1.5V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)13nC@4.5V
输入电容(Ciss)1.193nF
反向传输电容(Crss)96pF
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)193pF

商品概述

这款MOSFET专为满足汽车应用的严苛要求而设计。它符合AEC-Q101标准,具备生产件批准程序(PPAP)支持,非常适合用于以下场景: 发动机管理系统 DC-DC转换器 车身控制电子系统

商品特性

  • 0.6mm厚度——适用于薄型应用
  • 4mm²的PCB占位面积
  • 低栅极阈值电压
  • 快速开关速度
  • 静电放电(ESD)防护达3kV
  • 完全无铅且符合RoHS标准
  • 无卤素和锑,为“绿色”器件
  • 符合AEC-Q101高可靠性标准
  • 具备生产件批准程序(PPAP)能力

应用领域

  • 发动机管理系统-DC-DC转换器-车身控制电子系统

数据手册PDF