SI3430DV-T1-BE3
1个N沟道 耐压:100V 电流:1.8A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI3430DV-T1-BE3
- 商品编号
- C3291349
- 商品封装
- TSOP-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.044克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 170mΩ@10V,2.4A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.14W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.2nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- 先进的全新设计
- 雪崩耐用技术
- 坚固的栅极氧化层技术
- 极低的本征电容
- 出色的开关特性
- 无与伦比的栅极电荷：40nC（典型值）
- 扩展的安全工作区
- 更低的漏源导通电阻（RDS(ON)）：1.5Ω（典型值）