FQA12N60
1个N沟道 耐压:600V 电流:12A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQA12N60
- 商品编号
- C3291273
- 商品封装
- TO-3P
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.771克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 700mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 240W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 54nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.9nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 265pF |
商品概述
A2I25D025N宽带集成电路采用片上匹配设计，可在2100至2900 MHz频段使用。这种多级结构额定工作电压为26至32V，涵盖所有典型的蜂窝基站调制格式。
商品特性
- 片上匹配（50欧姆输入、直流隔离）
- 集成静态电流温度补偿功能，具备启用/禁用功能
- 专为数字预失真误差校正系统设计
- 针对多尔蒂应用进行优化