ISL9N312AD3ST
1个N沟道 耐压:30V 电流:50A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- ISL9N312AD3ST
- 商品编号
- C3291027
- 商品封装
- TO-252AA
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 75W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.45nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 300pF |
商品特性
- 极低导通电阻 RDS(on)
- 100%雪崩测试
- 出色的热阻性能
- N沟道、逻辑电平
- 无铅引脚镀层；符合RoHS标准
- 符合IEC61249-2-21的无卤要求