STP75N3LLH6
N沟道,电流:75A,耐压:30V
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- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STP75N3LLH6
- 商品编号
- C3290215
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 75A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 60W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 23.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.03nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 210pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 350pF |
商品概述
CPC3710是一款N沟道耗尽型场效应晶体管（FET），采用了IXYS集成电路部门专有的第三代垂直DMOS工艺。第三代工艺在经济高效的硅栅工艺中实现了世界级的高压MOSFET性能。我们的垂直DMOS工艺生产出的器件性能可靠、输入阻抗高，适用于高功率应用。CPC3710是一款高度可靠的FET器件，已广泛应用于我们用于工业和电信领域的固态继电器中。 该器件在需要低漏源电阻的功率应用中表现出色，尤其适用于汽车点火模块等寒冷环境。 CPC3710在25°C时的最大导通电阻低至10Ω。 CPC3710的最小击穿电压为250 Vp，采用SOT - 89封装。 与所有MOS器件一样，FET结构可防止热失控和热致二次击穿。
商品特性
- RDS(on) * Qg达到行业标杆
- 极低的导通电阻RDS(on)
- 高雪崩耐量
- 低栅极驱动功率损耗
应用领域
- 开关应用