商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 75A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 60W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 23.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.03nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 210pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 350pF |
商品概述
这款N沟道功率MOSFET产品采用了专有的STripFET技术第六代设计规则,具备全新的栅极结构。由此产生的功率MOSFET在所有封装中均展现出最低的导通电阻RDS(on)。
商品特性
- RDS(on) * Qg达到行业标杆
- 极低的导通电阻RDS(on)
- 高雪崩耐量
- 低栅极驱动功率损耗
应用领域
- 开关应用