FDY2001PZ
双P沟道,电流:150mA,耐压:20V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDY2001PZ
- 商品编号
- C3290144
- 商品封装
- SOT-563F
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.024克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 150mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12Ω@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 650mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 100pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
-
- 150;mA,- 20;V,RDS\left( ON\right) = 8Ω(VGS = - 4.5;V)
- RDS(ON) = 12 Ω @ VGS = -2.5 V
- 静电放电保护二极管
- 符合 RoHS 标准
应用领域
- 锂离子电池组