UPA2756GR-E1-AT
双N沟道,电流:2.0A,耐压:60V
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- UPA2756GR-E1-AT
- 商品编号
- C3289580
- 商品封装
- SOIC-8-175mil
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2175克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ@4V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@1mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 260pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 65pF |
商品概述
该器件是采用第二代MDmesh™技术开发的N沟道功率MOSFET。这款创新型功率MOSFET将垂直结构与条形布局相结合，实现了极低的导通电阻和栅极电荷。因此，它适用于要求最为严苛的高效转换器。
商品特性
- 100%雪崩测试
- 低输入电容和栅极电荷
- 低栅极输入电阻
应用领域
- 开关应用
相似推荐
其他推荐
- UPA1763G-E1-AT
- NE3514S02-T1D-A
- NE3511S02-T1C-A
- 2SJ355-T1-AZ
- 2SK2090-T1-A
- UPA573T-T1-A
- UPA1919TE-T1-AT
- UPA1930TE-T1-AT
- UPA1911ATE-T1-A
- 2SJ621-T1B-AT
- NE4210S01-T1B
- HAT2043R-EL-E
- UPA2738GR-E1-AX
- NP70N04MUG-S18-AY
- N0602N-S19-AY
- RJK0603DPN-A0#T2
- RJK1003DPN-A0#T2
- RJK1001DPP-A0#T2
- RJK5030DPP-M0#T2
- RJL5014DPP-A0#T2
- RJK6035DPP-A0#T2