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BSZ060NE2LSATMA1
1个N沟道 耐压:25V 电流:40A 电流:12A
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSZ060NE2LSATMA1
- 商品编号
- C3289328
- 商品封装
- TSDSON-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A；40A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 6mΩ@20A,10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功率(Pd) | 2.1W；26W | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 9.1nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 670pF@12V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
这款28.8 dBm射频功率LDMOS晶体管专为覆盖728至3700 MHz频率范围的蜂窝基站应用而设计。
商品特性
- 更大的负栅源电压范围，改善C类工作状态
- 专为数字预失真误差校正系统设计
- 通用宽带驱动器
应用领域
- 蜂窝基站
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