IPB80N06S2LH5
N沟道,电流:80A,耐压:55V
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPB80N06S2LH5
- 商品编号
- C3289272
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 300W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 190nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 276pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.06nF |
商品特性
~~- 全新革命性高压技术-超低栅极电荷-额定周期性雪崩-额定极高dv/dt-超低有效电容-改善的跨导-针对目标应用通过JEDEC认证
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