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IPW65R048CFDAFKSA1

1个N沟道耐压:650V 电流:63.3A

品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: IPW65R048CFDAFKSA1
商品编号: C3289053
商品封装: TO-247-3
包装方式: 管装
商品毛重: 8.55克(g)

商品参数

商品概述

CoolMOS™ 是一项用于高压功率 MOSFET 的革命性技术，依据超结（SJ）原理设计。650V CoolMOS™ CFDA 系列融合了领先的 SJ MOSFET 供应商的经验与一流创新。由此产生的器件具备快速开关 SJ MOSFET 的所有优势，同时提供极快速且坚固的体二极管。极低的开关、换相和传导损耗与极高的坚固性相结合，使谐振开关应用尤其更加可靠、高效、轻便且散热更佳。

商品特性

~~- 超快体二极管-极高的换相耐用性-由于极低的品质因数 Rdson*QG 和 Eoss,损耗极低-易于使用/驱动-通过 AEC Q101 认证-环保封装(符合 RoHS 标准),无铅电镀,模塑料无卤

应用领域

650V CoolMOS™ CFDA 专为开关应用而设计。

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	类型	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	650V
	连续漏极电流(Id)	63.3A
	导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)	48mΩ@29.4A,10V

	属性	参数值
	功率(Pd)	500W
	阈值电压(Vgs(th)@Id)	4.5V@2.9mA
	栅极电荷(Qg@Vgs)	270nC@10V
	输入电容(Ciss@Vds)	7.44nF@100V
	工作温度	-40℃~+150℃@(Tj)