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IPN60R3K4CEATMA1

1个N沟道耐压:600V 电流:2.6A

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品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: IPN60R3K4CEATMA1
商品编号: C3288803
商品封装: SOT-223-3
包装方式: 编带
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

CoolMOS是用于高压功率MOSFET的一项革命性技术，它是根据超结（SJ）原理设计的。CoolMOS CE是一个经过性价比优化的平台，能够满足消费和照明市场对成本敏感的应用需求，同时仍符合最高效率标准。该新系列具备快速开关超结MOSFET的所有优点，且不牺牲易用性，提供了市场上最佳的降本性能比。

商品特性

~~- 由于极低的品质因数Rdson*Qg和Eoss,损耗极低-极高的换向鲁棒性-易于使用/驱动-无铅镀层,无卤模塑料-适用于标准等级应用

应用领域

适配器-充电器-照明

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	类型	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	600V
	连续漏极电流(Id)	2.6A
	导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)	3.4Ω@500mA,10V

	属性	参数值
	功率(Pd)	5W
	阈值电压(Vgs(th)@Id)	3.5V@40uA
	栅极电荷(Qg@Vgs)	4.6nC@10V
	输入电容(Ciss@Vds)	93pF@100V
	工作温度	-40℃~+150℃@(Tj)