IRFR420
1个N沟道 耐压:500V 电流:2.4A
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- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- IRFR420
- 商品编号
- C3288391
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 350pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9.6pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这些 N 沟道增强型功率场效应晶体管采用仙童半导体公司专有的平面条形 DMOS 技术制造。 这种先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源、有源功率因数校正以及基于半桥拓扑的电子灯镇流器。
商品特性
- 1.9A、600V，VGS = 10V 时，RDS(on) = 4.7Ω
- 低栅极电荷（典型值 8.5nC）
- 低 Crss（典型值 4.3pF）
- 快速开关
- 100% 雪崩测试
- 改善的 dv/dt 能力
应用领域
- 高效开关模式电源-有源功率因数校正-基于半桥拓扑的电子灯镇流器