IRFR9110TF
P沟道, 电流:3.1A, 耐压:100V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- IRFR9110TF
- 商品编号
- C3288376
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.466克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 290pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 18pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
RM60N100DF采用超级沟槽技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于漏源导通电阻（RDS(ON)）和栅极电荷（Qg）极低，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流。
商品特性
- 漏源电压（VDS）= 100V，漏极电流（ID）= 60A
- 栅源电压（VGS）= 10V时，漏源导通电阻（RDS(ON)）< 8.5 mΩ
- 出色的栅极电荷×漏源导通电阻（RDS(on)）乘积（品质因数FOM）
- 极低的导通电阻（RDS(on)）
- 工作温度175 °C
- 无铅引脚镀层
- 100%进行了非钳位感性开关（UIS）测试
应用领域
- DC/DC转换器
- 非常适合高频开关和同步整流