RMA7P20ED1
P沟道,电流:-0.7A,耐压:-20V
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- 品牌名称
- RECTRON(丽正)
- 商品型号
- RMA7P20ED1
- 商品编号
- C3288244
- 商品封装
- DFN1006-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.011克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 700mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 600mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 900mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 800pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 52pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8.2pF | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 12pF |
商品特性
- 隔离衬底
- 高隔离电压（>2500V）
- 出色的热传递性能
- 增强的温度和功率循环能力
- IXYS先进的低栅极电荷（Q_g）工艺
- 低栅极电荷和电容
- 更易于驱动
- 更快的开关速度
- 低导通电阻（RDS(on)）
- 极低的插入电感（<2nH）
- 无氧化铍（BeO）或其他有害物质
- 针对高达100MHz的射频和高速开关应用进行优化
- 易于安装，无需绝缘片
- 高功率密度
应用领域
- C类、D类和E类应用