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HUFA75329S3ST

1个N沟道 耐压:55V 电流:49A

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品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
HUFA75329S3ST
商品编号
C3288150
商品封装
D2PAK(TO-263)​
包装方式
编带
商品毛重
1.845克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)55V
连续漏极电流(Id)49A
导通电阻(RDS(on))24mΩ@10V
耗散功率(Pd)128W
阈值电压(Vgs(th))4V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)43nC@10V
输入电容(Ciss)1.06nF
反向传输电容(Crss)95pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)405pF

商品概述

IRFP150、IRFP151、IRFP152和IRFP153是n沟道增强型硅栅功率场效应晶体管。IRFP150R、IRFP151R、IRFP152R和IRFP153R型是先进的功率MOSFET,经过设计、测试并保证在击穿雪崩工作模式下能承受特定水平的能量。所有这些功率MOSFET均适用于开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器以及需要高速和低栅极驱动功率的大功率双极型开关晶体管驱动器等应用。这些型号可直接由集成电路驱动。

商品特性

  • 49A,55V
  • 超低导通电阻,rDS(ON) = 0.024 Ω
  • 具备温度补偿功能的PSPICE和SABER模型
  • 热阻PSPICE和SABER模型
  • 峰值电流与脉冲宽度曲线
  • UIS额定曲线

应用领域

-开关稳压器-开关转换器-电机驱动器-继电器驱动器-低压总线开关-便携式和电池供电产品的电源管理

数据手册PDF