UPA1872BGR-9JG-E1-A
2个N沟道 耐压:20V 电流:10A
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- UPA1872BGR-9JG-E1-A
- 商品编号
- C3281969
- 商品封装
- TSSOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.135克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@4.5V,5A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@4V | |
| 输入电容(Ciss) | 945pF@10V |
商品概述
这款P沟道2.5V指定MOSFET是先进PowerTrench工艺的耐用栅极版本。它针对具有宽范围栅极驱动电压（2.5V - 12V）的电源管理应用进行了优化。
商品特性
- 在VGS = -2.5V时，RDS(ON) = 0.033Ω
- -5.3A，-20V，在VGS = -4.5V时，RDS(ON) = 0.022Ω
- 适用于电池应用的扩展VGSS范围（±12V）
- 低栅极电荷
- 采用高性能沟槽技术实现极低的RDS(ON)
- 薄型TSSOP - 8封装
应用领域
- 负载开关-电机驱动-DC/DC转换-电源管理
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