FDA15N65
N沟道,电流:16A,耐压:650V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDA15N65
- 商品编号
- C3281838
- 商品封装
- TO-3P
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.771克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 440mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 260W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 63nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.095nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 35.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 385pF |
商品概述
该器件专为工作频率高达 450 MHz 的射频放大器和混频器应用而设计，也适用于需要低电容的模拟开关。采用 50 制程工艺。
应用领域
- 射频放大器-混频器-模拟开关