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SIHD5N80AE-GE3
N沟道 MOSFET,电流:2.8A,耐压:800V
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- 描述
- 特性：低品质因数 (FOM) Rₒₙ × Q₉。 低有效电容 (Cᵢₛₛ)，符合RoHS标准。 降低开关和传导损耗，无卤素。 超低栅极电荷 (Q₉)。 雪崩能量额定 (UIS)。 集成齐纳二极管ESD保护。应用：服务器和电信电源。 开关模式电源 (SMPS)
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIHD5N80AE-GE3
- 商品编号
- C3281472
- 商品封装
- TO-252AA
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.7克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.35Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 62.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 321pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 20pF |
商品特性
- 低品质因数 (FOM) Ron × Qg
- 低有效电容 (Ciss)
- 降低开关和传导损耗
- 超低栅极电荷 (Qg)
- 雪崩能量额定 (UIS)
- 集成齐纳二极管静电放电保护
应用领域
-服务器和电信电源-开关模式电源 (SMPS)-功率因数校正电源 (PFC)-照明-高强度气体放电灯 (HID)-荧光灯镇流器照明-工业领域-焊接-感应加热-电机驱动-电池充电器-可再生能源
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