N0600N-S17-AY
N沟道,电流:30A,耐压:60V
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- N0600N-S17-AY
- 商品编号
- C3280403
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 36mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 20W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@1mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 29.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.38nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 109pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
- 沟槽功率AlphaSGT™技术
- 同类最优的导通电阻RDS(on)
- 相较于其他MOSFET供应商，更低的反向恢复电荷Qrr，降低开关损耗
- 在固态继电器（SSR）应用中优化了电压尖峰
- 符合RoHS标准且无卤
应用领域
- 高频开关和同步整流-电池管理系统(BMS)-电机
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