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NP82N04MUG-S18-AY

N-通道,电流:82A,耐压:40V

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品牌名称: RENESAS(瑞萨)/IDT
商品型号: NP82N04MUG-S18-AY
商品编号: C3280613
商品封装: TO-220-3
包装方式: 管装
商品毛重: 2.718克(g)

商品参数

商品概述

第三代功率MOSFET为设计师提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。 TO - 220 FULLPAK封装消除了商业 - 工业应用中对额外绝缘硬件的需求。所使用的模塑料在散热片和外部散热器之间提供了高隔离能力和低热阻。这种隔离效果相当于在标准TO - 220产品中使用100微米的云母屏障。FULLPAK封装可使用单个夹子或单个螺丝固定在散热器上。

商品特性

隔离封装
高压隔离 = 2.5 kV RMS（t = 60 s；f = 60 Hz）
散热片到引脚的爬电距离 = 4.8 mm
工作温度175 °C
动态dV/dt额定值
低热阻

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	40V
	连续漏极电流(Id)	82A
	导通电阻(RDS(on))	4.2mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	143W
	阈值电压(Vgs(th))	4V@250uA

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	160nC@10V
	输入电容(Ciss)	9.75nF
	反向传输电容(Crss)	670pF
	工作温度	-55℃~+175℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	870pF