2SK3659-AZ

这款N沟道增强型功率MOSFET采用专有平面条形和DMOS技术制造。这种先进的MOSFET技术经过特别设计，可降低导通电阻，并提供出色的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正（PFC）和电子灯镇流器。

• 7 A、650 V，RDS(on) = 1.4 Ω（最大值）@ VGS = 10 V，ID = 3.5 A
• 低栅极电荷（典型值28 nC）
• 低Crss（典型值12 pF）
• 100%雪崩测试

• 标准应用:计算机、办公设备、通信设备、测试测量设备、视听设备、家用电子电器、机床、个人电子设备和工业机器人。
• 高品质应用:运输设备(汽车、火车、轮船等)、交通控制系统、防灾系统、防盗系统、安全设备以及非专门用于生命维持的医疗设备。