HUF75631SK8T_NB82083
1个N沟道 耐压:100V 电流:5.5A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- HUF75631SK8T_NB82083
- 商品编号
- C3279893
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.215克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 39mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 79nC@20V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.225nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 105pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 330pF |
商品概述
与传统功率MOSFET相比，这款双N沟道MOSFET具备额外功能，包括：漏源电压反馈信号，以及此前需要外部分立电路实现的栅极驱动禁用控制功能。将这些功能集成在MOSFET内可节省印刷电路板空间。当漏源电压高于62V时，漏源电压反馈功能会提供一个5V电平输出，可监测电感负载耗散其存储能量所需的时间。多个反馈信号可进行“或”连接，接入监测电路的单个输入。栅极禁用功能可使器件独立于栅极上的驱动信号关断，允许第二个控制电路在必要时停用负载，也可进行“或”连接，使多个器件由单个集电极开路/漏极开路控制晶体管控制。
商品特性
- SO - 8封装的62V、132mΩ、5V逻辑电平栅极双MOSFET
- 漏源电压的5V逻辑电平反馈信号，多个器件可“或”连接至单个监测电路输入
- 栅极驱动禁用输入，多个器件可由单个禁用晶体管控制
- 符合AEC Q101标准
应用领域
- 汽车喷油器驱动器-螺线管驱动器