FDMS8674
N沟道,电流:21A,耐压:30V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMS8674
- 商品编号
- C3279615
- 商品封装
- PQFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.188克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 21A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 78W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 37nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.32nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 195pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.145nF |
商品概述
RM10N30D2采用先进的沟槽技术，提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 在 VGS = 10 V、ID = 17 A 时,最大 rDS(on) = 5.0 m Ω
- 在 VGS = 4.5 V、ID = 14 A 时,最大 rDS(on) = 8.0 m Ω
- 先进的封装与硅技术结合,实现低 r\textDS(on) 和高效率
- MSL1 坚固封装设计
- 符合 RoHS 标准
应用领域
- 计算 VR 与 IMVP Vcore
- 次级侧同步整流器
- 负载点 (POL) DC/DC 转换器
- 或门 FET/负载开关