FDMS8674
N沟道,电流:21A,耐压:30V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMS8674
- 商品编号
- C3279615
- 商品封装
- PQFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.188克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 21A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 78W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 37nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.32nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 195pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.145nF |
商品概述
RM10N30D2采用先进的沟槽技术，提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- N沟道
- 漏源电压（VDS） = 30V，漏极电流（ID） = 10A
- 栅源电压（VGS） = 10V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 12mΩ
- 栅源电压（VGS） = 4.5V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 16mΩ
- 低导通电阻
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 低输入/输出泄漏
- 无卤