FDMS3616S
双N通道MOSFET,电流:16A,耐压:25V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMS3616S
- 商品编号
- C3279607
- 商品封装
- PQFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.188克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 23A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 27nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.895nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 180pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 765pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的PowerTrench工艺制造。结合了硅技术和双散热（Dual Cool）封装技术的优势，在保持出色开关性能的同时，通过极低的结到环境热阻实现最低的导通电阻rDS(on)。该器件还具备高效单片肖特基体二极管的优势。
商品特性
- 双散热（Dual Cool）顶部散热PQFN封装
- VGS = 10 V、ID = 30 A时，最大导通电阻rDS(on) = 1.9 mΩ
- VGS = 4.5 V、ID = 26 A时，最大导通电阻rDS(on) = 2.7 mΩ
- 采用高性能技术实现极低的导通电阻rDS(on)
- 同步场效应晶体管（SyncFET）肖特基体二极管
- 符合RoHS标准
应用领域
- DC/DC转换器的同步整流器
- 电信二次侧整流
- 高端服务器/工作站Vcore低压侧