FQB3P20TM
P沟道,电流:-2.8A,耐压:-200V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQB3P20TM
- 商品编号
- C3277576
- 商品封装
- D2PAK(TO-263)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.845克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.7Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 52W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 250pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 60pF |
商品概述
这款高压N沟道功率MOSFET是MDmesh DM6快速恢复二极管系列的一部分。与上一代MDmesh快速恢复二极管相比，DM6结合了极低的恢复电荷（Qrr）、恢复时间（trr），并且每单位面积的导通状态漏源电阻（RDS(on)）有显著改善，同时具备市场上针对最严苛高效桥拓扑和ZVS移相转换器的最有效的开关性能之一。
商品特性
- 2.8A,-200V,RDS(on) = 2.7Ω @ VGS = -10 V
- 低栅极电荷(典型值6.0 nC)
- 低Crss(典型值7.5 pF)
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
应用领域
- 开关应用