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FDB8442

N沟道, 80A, 40V

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品牌名称: onsemi(安森美)
商品型号: FDB8442
商品编号: C3277574
商品封装: D2PAK(TO-263)
包装方式: 编带
商品毛重: 1.845克(g)

商品参数

商品概述

飞兆半导体先进的2.5V特定PowerTrench工艺与先进的BGA封装相结合，FDZ293P最大限度地减少了印刷电路板（PCB）空间和漏源导通电阻（rDS(on)）。这款BGA MOSFET体现了封装技术的突破，使该器件兼具出色的热传递特性、高电流处理能力、超薄封装、低栅极电荷和低漏源导通电阻（rDS(on)）。

商品特性

在 VGS = 10 V、ID = 80 A 条件下,典型 rDS(on) = 2.1 m Ω
在 VGS = 10 V 条件下,典型 Qg(10) = 181 nC
低米勒电荷
低 \mathbfQrr 体二极管
具备单脉冲和重复脉冲的非钳位感性开关(UIS)能力
符合 RoHS 标准

应用领域

动力总成管理
螺线管和电机驱动器
电子转向
集成启动器/交流发电机
分布式电源架构和电压调节模块(VRM)
12V 系统的初级开关

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	40V
	连续漏极电流(Id)	80A
	导通电阻(RDS(on))	2.9mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	254W
	阈值电压(Vgs(th))	4V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	235nC@10V
	输入电容(Ciss)	12.2nF
	反向传输电容(Crss)	640pF
	工作温度	-55℃~+175℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	1.04nF