FQB7P06TM
P沟道,电流:-7A,耐压:-60V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQB7P06TM
- 商品编号
- C3277525
- 商品封装
- D2PAK(TO-263)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.845克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 410mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 45W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 295pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 32pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 145pF |
商品概述
这款高压MOSFET采用先进的终端方案，在不随时间降低性能的情况下，提供增强的电压阻断能力。此外，这款先进的TMOS E-FET设计用于承受雪崩和换向模式下的高能量。这种新的节能设计还提供了具有快速恢复时间的漏源二极管。这些器件专为电源、转换器、PWM电机控制中的高速开关应用而设计，特别适用于二极管速度和换向安全工作区至关重要的桥式电路，并针对意外电压瞬变提供额外的安全裕量。
商品特性
-坚固的高压终端-规定雪崩能量-源漏二极管恢复时间与分立快速恢复二极管相当-二极管适用于桥式电路-规定高温下的IDSS和VDS(ON)
应用领域
-电源中的高速开关应用-转换器-PWM电机控制-桥式电路