HUF75645S3ST_NL
N沟道,电流:75A,耐压:100V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- HUF75645S3ST_NL
- 商品编号
- C3277508
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.86克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 75A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 127nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.79nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 230pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 810pF |
商品概述
这款HEXFET功率MOSFET专为汽车应用设计，采用最新的工艺技术，实现了单位硅面积极低的导通电阻。该设计的其他特性包括175°C的结工作温度、快速开关速度和更高的重复雪崩额定值。这些特性结合在一起，使该设计成为适用于汽车应用以及各种其他应用的高效可靠器件。
商品特性
- 先进的平面技术
- 低导通电阻
- 动态dV/dT和dI/dT能力
- 175°C工作温度
- 快速开关
- 全雪崩额定
- 允许在最高结温Tjmax下重复雪崩
- 无铅，符合RoHS标准
- 通过汽车应用认证