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NTB25P06T4G实物图
  • NTB25P06T4G商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NTB25P06T4G

P沟道 耐压:60V 电流:27.5A

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品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
NTB25P06T4G
商品编号
C3277444
商品封装
D2PAK​
包装方式
编带
商品毛重
1.86克(g)

    商品参数

    属性参数值
    商品目录场效应管(MOSFET)
    类型P沟道
    漏源电压(Vdss)60V
    连续漏极电流(Id)27.5A
    功率(Pd)120W
    属性参数值
    导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)82mΩ@25A,10V
    阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA
    栅极电荷(Qg@Vgs)50nC@10V
    输入电容(Ciss@Vds)1.68nF@25V
    工作温度-55℃~+175℃@(Tj)

    优惠活动

    购买数量

    (800个/圆盘,最小起订量 1 个)
    起订量:1 个800个/圆盘

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