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CE3512K2-C1
12 GHz超低噪声FET,电流:10mA,耐压:4V
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- 商品型号
- CE3512K2-C1
- 商品编号
- C3277289
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 4V | |
| 连续漏极电流(Id) | 68mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 125mW | |
| 工作温度 | -55℃~+125℃ |
商品特性
- 超低噪声系数与高相关增益:典型值 NF = 0.30 dB,典型值 Ga = 13.7 dB。@Vds = 2 V,ID = 10 mA,f = 12 GHz
应用领域
- 适用于第一级的 Ku 波段低噪声模块(LNB)