我的订单购物车(0)联系客服帮助中心供应商合作嘉立创产业服务群
领券中心备货找料立推专区爆款推荐TI订货PLUS会员BOM配单PCB/SMT工业品面板定制
SSM3K333R,LF实物图
  • SSM3K333R,LF商品缩略图
  • SSM3K333R,LF商品缩略图
  • SSM3K333R,LF商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SSM3K333R,LF

1个N沟道 耐压:30V 电流:9A

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
描述
特性:4.5V驱动低导通电阻:RDS(ON) = 42mΩ(最大值)(VGS = 4.5V);RDS(ON) = 28mΩ(最大值)(VGS = 10V)。应用:电源管理开关应用。 高速开关应用
品牌名称
TOSHIBA(东芝)
商品型号
SSM3K333R,LF
商品编号
C395454
商品封装
SOT-23F​
包装方式
编带
商品毛重
0.033克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)9A
导通电阻(RDS(on))42mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)1W
阈值电压(Vgs(th))2.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)3.4nC@4.5V
输入电容(Ciss)436pF
反向传输电容(Crss)28pF
工作温度-40℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)77pF

商品概述

这款功率MOSFET采用先进技术制造。该技术使功率MOSFET具备更优特性,包括快速开关时间、低导通电阻、低栅极电荷,尤其是出色的雪崩特性。

商品特性

  • 4.5V驱动
  • 低导通电阻:RDS(ON) = 42 m Ω(最大值)(@VGS = 4.5 V)
  • RDS(ON) = 28 m Ω(最大值)(@VGS = 10 V)

应用领域

  • 电源管理开关应用
  • 高速开关应用

数据手册PDF