STGP15M120F3
STGP15M120F3
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- 描述
- 1200 V、15 A沟槽栅场截止低损耗M系列IGBT，TO-220封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STGP15M120F3
- 商品编号
- C3193377
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 30A | |
| 耗散功率(Pd) | 259W | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 2.3V@15V,15A | |
| 栅极电荷量(Qg) | 53nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | - | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 26ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 122ns | |
| 导通损耗(Eon) | 550uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 850uJ | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
优惠活动
购买数量
(1000个/管，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个1000个/管
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