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STGWA30IH65DF引脚图
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STGWA30IH65DF

STGWA30IH65DF

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描述
采用 TO-247 长引线封装的沟槽栅极场截止 650 V、30 A 软开关 IH 系列 IGBT
商品型号
STGWA30IH65DF
商品编号
C3193680
商品封装
TO-247-3​
包装方式
管装
商品毛重
6.558克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录IGBT管/模块
IGBT类型FS(场截止)
耗散功率(Pd)180W
集射极击穿电压(Vces)650V
集电极电流(Ic)60A
集电极脉冲电流(Icm)90A
集电极截止电流(Ices)-
集射极饱和电压(VCE(sat))1.55V
栅极阈值电压(Vge(th))2.05V@15V,30A
栅极电荷量(Qg)80nC
属性参数值
输入电容(Cies)1.49nF
输出电容(Coes)82pF
反向传输电容(Cres)39pF
开启延迟时间(Td(on))-
关断延迟时间(Td(off))200ns
导通损耗(Eon)-
关断损耗(Eoff)123uJ
反向恢复时间(Trr)-
工作温度-55℃~+175℃@(Tj)

商品概述

最新的650V软开关IH系列IGBT采用先进的专有沟槽栅场截止结构,其导通和开关损耗均针对软换向进行了优化。该产品包含一个低正向压降的续流二极管,专为任何谐振和软开关应用最大化效率而设计。

商品特性

  • 专为软换向设计
  • 最大结温:T_J=175℃
  • 典型集电极-发射极饱和电压V_CE(sat)=1.55V@集电极电流I_C=30A
  • 尾电流最小化
  • 参数分布紧密
  • 热阻低
  • 集成低压降续流共封装二极管
  • 集电极-发射极饱和电压V_CE(sat)具有正温度系数

应用领域

  • 感应加热
  • 谐振转换器
  • 微波炉

数据手册PDF