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RBN40H125S1FPQ-A0#CB0
1.25kV 80A
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- 描述
- 特性：沟槽栅和薄晶圆技术（G8H系列）。 单封装内集成快速恢复二极管。 低集电极-发射极饱和电压：VCE(sat) = 1.8V（典型值，IC = 40A，VGE = 15V，Ta = 25℃）。 质量等级：标准。 高速开关。 短路耐受时间：10μs（最小值）。应用：UPS。 焊接
- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- RBN40H125S1FPQ-A0#CB0
- 商品编号
- C3193700
- 商品封装
- TO-247A
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | 319W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.25kV | |
| 集电极电流(Ic) | 80A | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.34V@40A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 2.34V@15V,40A | |
| 栅极电荷量(Qg) | 85nC | |
| 输入电容(Cies) | 2.33nF |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输出电容(Coes) | 120pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 18pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 25ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 124ns | |
| 导通损耗(Eon) | 2mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 1.4mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 156ns | |
| 工作温度 | - |
商品概述
RBN40H125S1FPQ - A0是一款1250V - 40A的IGBT功率开关。
商品特性
- 沟槽栅极和薄晶圆技术（G8H系列）
- 单封装内集成快速恢复二极管
- 低集电极 - 发射极饱和电压，VCE(sat) = 1.8V（典型值，IC = 40A，VGE = 15V，Ta = 25℃）
- 质量等级：标准
- 高速开关
- 短路耐受时间（最小10μs）
应用领域
- 不间断电源
- 焊接
- 光伏逆变器
- 功率转换系统
- RBN50H65T1FPQ-A0#CB0
- RBN75H65T1FPQ-A0#CB0
- RJH60F6BDPQ-A0#T0
- RBN25H125S1FPQ-A0#CB0
- RBN40H65T1FPQ-A0#CB0
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- IRG7PH30K10DPBF
- IRG8P15N120KDPBF
- IRG4PC50FD-EPBF
- IRGP4263DPBF
- IRG8P50N120KDPBF
- IRGP4263PBF
- IRG4PH20KDPBF
- IRG7PH50K10DPBF
- IRG7PH42UPBF
- IRGP4640PBF
- IRG7PH46UPBF
- IRGP4262DPBF
- IRG7PH44K10DPBF
- IRG4PC30SPBF
- IRG8P25N120KDPBF