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RBN40H125S1FPQ-A0#CB0
1.25kV 80A
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- 描述
- 特性：沟槽栅和薄晶圆技术（G8H系列）。 单封装内集成快速恢复二极管。 低集电极-发射极饱和电压：VCE(sat) = 1.8V（典型值，IC = 40A，VGE = 15V，Ta = 25℃）。 质量等级：标准。 高速开关。 短路耐受时间：10μs（最小值）。应用：UPS。 焊接
- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- RBN40H125S1FPQ-A0#CB0
- 商品编号
- C3193700
- 商品封装
- TO-247A
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.25kV | |
| 集电极电流(Ic) | 80A | |
| 耗散功率(Pd) | 319W | |
| 输出电容(Coes) | 120pF | |
| 正向脉冲电流(Ifm) | 160A | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.34V@40A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 2.34V@15V,40A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 85nC | |
| 输入电容(Cies) | 2.33nF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 25ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 124ns | |
| 导通损耗(Eon) | 2mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 1.4mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 156ns | |
| 工作温度 | - | |
| 反向传输电容(Cres) | 18pF |
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