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RJH65T04BDPM-A0#T2实物图
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RJH65T04BDPM-A0#T2

RJH65T04BDPM-A0#T2

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商品型号
RJH65T04BDPM-A0#T2
商品编号
C3194125
商品封装
TO-3PFP​
包装方式
管装
商品毛重
7.206克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录IGBT管/模块
IGBT类型-
耗散功率(Pd)65W
集射极击穿电压(Vces)650V
集电极电流(Ic)60A
栅极阈值电压(Vge(th))-
栅极电荷量(Qg)74nC
属性参数值
输入电容(Cies)-
开启延迟时间(Td(on))35ns
关断延迟时间(Td(off))-
导通损耗(Eon)360uJ
关断损耗(Eoff)350uJ
反向恢复时间(Trr)80ns
工作温度-

商品特性

  • 采用沟槽栅和薄晶圆技术
  • 同一封装内集成快速恢复二极管
  • 集电极 - 发射极饱和电压 VCE(sat)=1.5V(典型值)(在 IC = 30A,VGE = 15V,Ta = 25℃ 时)
  • 质量等级:标准
  • 高速开关,tf = 45ns(典型值)(在 VCC = 400~V,VGE = 15V,IC = 30A,Rg = 10Ω,Ta = 25℃,感性负载时)
  • 工作频率 (20kHz ≤ f < 40kHz)

应用领域

功率因数校正电路

数据手册PDF