商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | RF放大器 | |
| 频率 | 100MHz~2GHz | |
| 增益 | 11.5dB | |
| 噪声系数 | 2.5dB | |
| 工作电压 | 5V | |
| 工作电流 | 44mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| P1dB | 15.5dBm | |
| 工作温度 | -54℃~+85℃ | |
| 输入回波损耗 | - | |
| 输出回波损耗 | - | |
| IP3 | 25dBm | |
| 功能特性 | - |
商品概述
A32 - 1射频放大器采用分立混合设计，运用薄膜制造工艺，以实现精确性能和高可靠性。 这种单级砷化镓场效应晶体管（GaAs FET）反馈放大器设计在宽带频率范围内展现出卓越的性能特性。采用射频扼流圈进行直流电源去耦。 TO - 8和表面贴装封装均为密封封装，且可进行MIL - STD - 883环境筛选。
商品特性
- 低噪声系数：2.5 dB（典型值）
- 高输出电平：15.5 dBm（典型值）
- 中等三阶交调截点：+25.0 dBm（典型值）
- 砷化镓场效应晶体管设计