RJP65T43DPM-00#T1
RJP65T43DPM-00#T1
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- RJP65T43DPM-00#T1
- 商品编号
- C3194124
- 商品封装
- TO-3PFM
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.206克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | 68.8W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 40A | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 2.4V@15V,20A | |
| 栅极电荷量(Qg) | 70nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | - | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 30ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 107ns | |
| 导通损耗(Eon) | 170uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 110uJ | |
| 工作温度 | - |
商品特性
- 采用沟槽栅和薄晶圆技术（G7H系列）
- 隔离封装
- 低集电极-发射极饱和电压 VCE(sat) = 1.8 V 典型值 ~ (在 IC = 20 A， VGE = 15 V， Ta = 25°C)
- 高速开关 tf = 28 ns 典型值 ~ (在 VCC = 400 V， VGE = 15 V， IC = 20 A， Rg = 10 Ω， Ta = 25°C)
- 工作频率 (20 kHz ≤ f ≤ 100kHz)
- 不保证短路耐受时间
- 应用：PFC
- 质量等级：标准