- 引脚图
- 焊盘图
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STGWA30HP65FB
STGWA30HP65FB
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- 描述
- 650 V、30 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STGWA30HP65FB
- 商品编号
- C3193682
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.558克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 260W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 60A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 120A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.55V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 149nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 3.659nF | |
| 输出电容(Coes) | 101pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 76pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | - | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 146ns | |
| 导通损耗(Eon) | - | |
| 关断损耗(Eoff) | 293uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 140ns | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
该器件是采用先进专有沟槽栅场截止结构开发的IGBT，属于新的HB系列IGBT，在导通和开关损耗之间达到平衡，以最大化任何变频器的效率。此外，略微正的VCE(sat)温度系数和非常紧密的参数分布使得并联操作更安全。
商品特性
- 最大结温：T_J=175℃
- 高速开关系列
- 最小化尾电流
- 低饱和电压：VCE(sat)=1.6V（典型值）@IC=40A
- 参数分布紧密
- 安全并联
- 正的VCE(sat)温度系数
- 低热阻
- 非常快的软恢复反并联二极管
应用领域
- 功率因数校正器（PFC）
- STGW40H120F2
- STGW50H65DFB2-4
- STGW100H65FB2-4
- STGW75H65DFB2-4
- APT20GN60BDQ2G
- MIW40N65-BP
- APT50GN60BDQ3G
- APT75GN60BDQ2G
- RBN40H125S1FPQ-A0#CB0
- RBN50H65T1FPQ-A0#CB0
- RJH60F6BDPQ-A0#T0
- RBN25H125S1FPQ-A0#CB0
- RBN40H65T1FPQ-A0#CB0
- IRG4PC50UD-EPBF
- IRG7PH30K10DPBF
- IRG8P15N120KDPBF
- IRG4PC50FD-EPBF
- IRGP4263DPBF
- IRG8P50N120KDPBF
- IRGP4263PBF
- IRG4PH20KDPBF