- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
STGW75H65DFB2-4
STGW75H65DFB2-4
- 描述
- 采用 TO247-4 封装的沟槽栅极场截止、650 V、75 A 高速 HB2 系列 IGBT
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STGW75H65DFB2-4
- 商品编号
- C3193699
- 商品封装
- TO-247-4
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 9.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 357W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 115A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 225A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.55V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 2V@15V,75A | |
| 栅极电荷量(Qg) | 207nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 4.357nF | |
| 输出电容(Coes) | 264pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 117pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 22ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 121ns | |
| 导通损耗(Eon) | 992uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 766uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 88ns | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品概述
最新的650V HB2系列IGBT是先进专有沟槽栅场截止结构的演进。HB2系列的性能在导通方面进行了优化，这得益于低电流下更好的饱和压降表现，以及降低的开关能量。极快的软恢复二极管与IGBT反向并联共封装。该产品专为在广泛的快速应用中最大化效率而设计。
商品特性
- 最大结温175℃
- 低饱和压降，典型值1.55V（在75A集电极电流下）
- 极快且软恢复的共封装二极管
- 最小化的拖尾电流
- 参数分布紧密
- 低热阻
- 饱和压降正温度系数
- 由于额外的驱动开尔文引脚，开关性能优异
应用领域
- 焊接
- 功率因数校正
- 不间断电源（UPS）
- 太阳能逆变器
- 充电器
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