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STGW50H65DFB2-4
STGW50H65DFB2-4
- 描述
- 采用 TO247-4 封装的沟槽栅极场截止、650 V、50 A 高速 HB2 系列 IGBT
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STGW50H65DFB2-4
- 商品编号
- C3193696
- 商品封装
- TO-247-4
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 86A | |
| 耗散功率(Pd) | 272W | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 151nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | - | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 18ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 128ns | |
| 导通损耗(Eon) | 629uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 478uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 92ns | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
交货周期
订货10-14个工作日购买数量
(30个/管，最小起订量 104 个)个
起订量：104 个30个/管
总价金额：
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