AOT15B65M1
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | 214W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 15A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 45A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.7V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 32nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 923pF | |
| 输出电容(Coes) | 96pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 33pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 15ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 94ns | |
| 导通损耗(Eon) | 290uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 200uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 317ns | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
AOT15B65M1/AOB15B65M1是一款650V、15A的Alpha IGBT,带有软快速恢复反并联二极管。允许的短路次数小于1000次;短路间隔时间大于1秒。该产品专为消费市场设计和认证,不授权用于生命支持设备或系统中的关键组件。AOS不承担因产品此类应用或用途而产生的任何责任,且保留在不通知的情况下改进产品设计、功能和可靠性的权利。
商品特性
- 允许的短路次数:<1000次
- 短路间隔时间:>1秒


