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STGWA20H65DFB2
650V 40A
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- 描述
- 采用 TO-247 长引线封装的沟槽栅极场截止 650 V、20 A 高速 HB2 系列 IGBT
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STGWA20H65DFB2
- 商品编号
- C3193678
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 9.8375克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 147W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 40A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 60A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.1V@20A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5V@1mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 56nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 1.01nF | |
| 输出电容(Coes) | 81pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 26pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 16ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 78.8ns | |
| 导通损耗(Eon) | 265uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 214uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 215ns | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品概述
最新的IGBT 650 V HB2系列是先进专有沟槽栅场截止结构的演进。HB2系列的性能在传导方面进行了优化，得益于低电流值下更好的V_CE(sat)行为以及降低的开关能量。一个非常快速的软恢复二极管与IGBT反向并联共封装，这款产品专为在广泛的快速应用中最大化效率而设计。
商品特性
- 最大结温：T_J=175℃
- 低V_CE(sat)=1.65V（典型值，I_C=20A）
- 非常快速且软恢复的共封装二极管
- 最小化的尾电流
- 紧密的参数分布
- 低热阻
- 正的V_CE(sat)温度系数
应用领域
- 焊接
- 功率因数校正
- UPS
- 太阳能逆变器
- 充电器
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