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STGWA100H65DFB2

650V 145A

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描述: 采用 TO-247 长引线封装的沟槽栅极场截止、650 V、100 A 高速 HB2 系列 IGBT
品牌名称: ST(意法半导体)
商品型号: STGWA100H65DFB2
商品编号: C3193679
商品封装: TO-247
包装方式: 管装
商品毛重: 8.8克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	IGBT管/模块
	IGBT类型	FS(场截止)
	耗散功率(Pd)	441W
	集射极击穿电压(Vces)	650V
	集电极电流(Ic)	145A
	集电极脉冲电流(Icm)	300A
	集电极截止电流(Ices)	-
	集射极饱和电压(VCE(sat))	2V@100A,15V
	栅极阈值电压(Vge(th))	4.5V@1mA
	栅极电荷量(Qg)	288nC

	属性	参数值
	输入电容(Cies)	6.227nF
	输出电容(Coes)	318pF
	反向传输电容(Cres)	165pF
	开启延迟时间(Td(on))	30ns
	关断延迟时间(Td(off))	130ns
	导通损耗(Eon)	2.2mJ
	关断损耗(Eoff)	1.4mJ
	反向恢复时间(Trr)	123ns
	工作温度	-55℃~+175℃@(Tj)

商品概述

STGWA100H65DFB2是一款采用沟槽栅场截止结构的650V、100A高速HB2系列IGBT，封装形式为TO-247长引线。最新的650V HB2系列IGBT是先进专有沟槽栅场截止结构的升级产品，其性能在导通（低电流下V_CE(sat)特性更优）和降低开关能量方面均得到优化。IGBT反并联集成了一个超快软恢复二极管，专为广泛的快速应用设计，以最大限度提高效率。

商品特性

最高结温：T_J=175℃
低饱和压降：V_CE(sat)=1.55V（典型值），测试条件为I_C=100A
集成超快软恢复二极管
最小化尾电流
参数分布紧密
低热阻
V_CE(sat)具有正温度系数

应用领域

焊接
功率因数校正
不间断电源（UPS）
太阳能逆变器
充电器

数据手册PDF

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